砷化鎵(GaAs)霍爾元件信號調(diào)理芯片JHM9000

JHM9000是一款為砷化鎵(GaAs)霍爾元件設(shè)計(jì)的信號調(diào)理芯片，可實(shí)現(xiàn)比例電壓輸出的線性霍爾傳感器的功能。

JHM9000可以對砷化鎵霍爾元件的靈敏度和靜態(tài)電壓進(jìn)行精確的調(diào)整，并進(jìn)行最高二階的溫度補(bǔ)償，使其具有出色的全溫區(qū)（-40°C ~ 125°C）溫度穩(wěn)定性。芯片內(nèi)部的高帶寬通信通路設(shè)計(jì)確保了對磁場變化的快速響應(yīng)，響應(yīng)時間低至1.5μs。 

用戶通過單線接口(OWI)對內(nèi)部的可編程存儲器(MTP)進(jìn)行編程以完成對霍爾元件信號的調(diào)整，最多支持4次編程操作。單線接口與比例電壓輸出復(fù)用同一管腳，使封裝后的傳感器可使用簡單的3腳封裝完成校準(zhǔn)。 

JHM9000使用5V單電源電壓并支持高達(dá)40V的過壓保護(hù)。

關(guān)鍵特性：

• 模擬比例電壓輸出 

• 工作環(huán)境溫度范圍（-40°C ~ 125°C）  

• 用戶可編程的靈敏度和靜態(tài)電壓及其溫漂補(bǔ)償 

• 提供裸片和SOP8封裝片

• 內(nèi)部MTP支持4次編程 

• 僅使用單線接口完成用戶編程 

• 接霍爾元件后對磁場響應(yīng)時間達(dá)1.5μs 

• 支持3腳封裝校準(zhǔn) 

在校準(zhǔn)時SIO 需要3.3k 的上拉電阻用于OWI 通信協(xié)議，在校準(zhǔn)完成后可去掉上拉電阻。SIO 引腳上的負(fù)載電容推薦為100pF, 信號帶寬為200kHz。可根據(jù)所需要信號帶寬調(diào)整負(fù)載電容容值。